Modell: PM9A3. Max Schock Widerstand: 1.500G & 0,5 ms (Halbe Sinus). Lesen/Schreiben: 10,0 W/12,5 W (1,92 TB). Lesen/Schreiben: 11,0 W/13,5 W (7,68 TB). Marke: SAMSUNG. Cache: Samsung Low Power SDRAM.
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